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芯片通訊異常失效分析:華南檢測(cè)技術(shù)案例分析

發(fā)布時(shí)間:2024-12-05 點(diǎn)擊次數(shù):9482

廣東省華南檢測(cè)技術(shù)有限公司對(duì)一款出現(xiàn)串口通訊異常、無(wú)電壓無(wú)溫度顯示等現(xiàn)象的芯片進(jìn)行失效分析。芯片工作指示燈表現(xiàn)出熄滅、常亮或異常閃爍等不穩(wěn)定狀態(tài)。委托方要求我們不僅對(duì)芯片進(jìn)行失效分析,還需對(duì)新PCB進(jìn)行可焊性測(cè)試。

失效分析

芯片失效分析過(guò)程:

外觀檢查:

通過(guò)光學(xué)顯微鏡的檢查,我們發(fā)現(xiàn)NG樣品的引腳、背面和側(cè)面存在助焊劑殘留,而OK樣品則沒(méi)有這種情況。這一發(fā)現(xiàn)為后續(xù)的分析提供了初步線索。

芯片通訊異常失效分析

芯片通訊異常失效分析

X-Ray測(cè)試:

X射線檢查顯示芯片內(nèi)部的金屬絲沒(méi)有明顯異常,因此排除了因物理?yè)p傷引起通訊異常的可能性。

芯片通訊異常失效分析

芯片通訊異常失效分析

聲學(xué)掃描顯微鏡檢查:

聲學(xué)掃描顯微鏡檢查揭示了不良品芯片引腳表面存在多處分層,這可能是導(dǎo)致通訊異常的關(guān)鍵因素。

芯片通訊異常失效分析

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電性能測(cè)試:

I-V曲線測(cè)試結(jié)果顯示,NG樣品的所有引腳與良品引腳6的曲線沒(méi)有明顯差異,這表明在測(cè)試范圍內(nèi),電性能沒(méi)有異常。

芯片通訊異常失效分析

工業(yè)CT掃描:

工業(yè)CT掃描檢測(cè)結(jié)果顯示,NG品主板芯片的引腳與PCB焊盤(pán)之間存在多個(gè)空洞,而OK品主板芯片則未發(fā)現(xiàn)明顯異常,進(jìn)一步確認(rèn)了焊接存在問(wèn)題。

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SEM分析:

切片制樣后,SEM檢查結(jié)果顯示NG樣品的引腳存在不同程度的分層現(xiàn)象,膠殼內(nèi)還夾雜著外來(lái)顆粒,這些顆粒可能會(huì)影響芯片的正常功能和使用壽命。

芯片通訊異常失效分析

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EDS成分分析:

EDS元素分析顯示,外來(lái)顆粒的主要元素為碳(C)和少量的磷(P),這些元素可能是封裝工藝過(guò)程中引入的污染物。

芯片通訊異常失效分析

可焊性測(cè)試:

經(jīng)過(guò)對(duì)新PCB進(jìn)行可焊性測(cè)試,顯微鏡下觀察到PCB焊盤(pán)上的錫飽和,所有鍍通孔的浸潤(rùn)情況也良好,說(shuō)明新PCB的可焊性達(dá)到了標(biāo)準(zhǔn)。

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芯片失效分析結(jié)果:

經(jīng)過(guò)上述分析,我們得出結(jié)論:芯片失效主要是由于塑封材料吸濕引起的內(nèi)部分層問(wèn)題,以及封裝工藝導(dǎo)致的粘接不良。這些因素共同造成了芯片通信異常。我們的可焊性測(cè)試結(jié)果顯示,新PCB的焊接性能良好,能夠投入使用。


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