專注于工業(yè)CT檢測\失效分析\材料檢測分析的第三方實(shí)驗(yàn)室
公正高效 \ 精準(zhǔn)可靠 \ 費(fèi)用合理
| 金屬材料及零部件失效分析 | 電子元器件失效分析 | |
| 涂/鍍層失效分析 |
電子元器件失效分析
———————————————————————————————————————————————————————————
廣東省華南檢測技術(shù)有限公司針對電阻、電容、二極管、三極管、LED、連接器、IC等器件開路、短路、燒毀、漏電、功能失效、電參數(shù)不合格、非穩(wěn)定失效等各種失效問題，利用物理和化學(xué)的分析手段，從宏觀和微觀分析出失效原因，并為客戶提出改善方向。
電子元器件主要失效模式（但不限于）
———————————————————————————————————————————————————————————
開路、短路、燒毀、漏電、功能失效、電參數(shù)漂移、非穩(wěn)定失效等。
國家認(rèn)可資質(zhì)背書
————————————————————————————————————————————————————
華南檢測專注電子元器件失效分析與故障歸零領(lǐng)域十余年，擁有國家認(rèn)可CNAS/CMA認(rèn)證實(shí)驗(yàn)室，匯聚擁有10+年經(jīng)驗(yàn)專家團(tuán)隊(duì)，累計(jì)完成超1000+案例。依托高精度檢測設(shè)備與全流程技術(shù)方案，精準(zhǔn)定位失效根源，助力企業(yè)快速止損，保障產(chǎn)品可靠性！
 |
CNAS/CMA雙認(rèn)證實(shí)驗(yàn)室，報告全國認(rèn)可，助您提升品牌口碑
出具權(quán)威檢測報告，明確責(zé)任歸屬，減少糾紛成本。 |
|
72小時完成檢測，加急服務(wù)至快24小時出具初報告
48小時內(nèi)定位失效點(diǎn)，提供根因報告+改進(jìn)方案，快速止損。 |
|
10+年經(jīng)驗(yàn)工程師團(tuán)隊(duì)，配備SEM/EDS/X-Ray等千萬高端設(shè)備，準(zhǔn)確率99%
|
檢測項(xiàng)目
————————————————————————————————————————————————————
●形貌分析：體視顯微鏡、?相顯微鏡、X 射線透視、聲學(xué)掃描顯微鏡、掃描電鏡、透射電鏡、聚焦離子束；
●成分檢測：X 射線能譜EDX、俄歇能譜AES、二次離子質(zhì)譜SIMS、光譜、色譜、質(zhì)譜；
●電分析：I-V曲線、半導(dǎo)體參數(shù)、LCR 參數(shù)、集成電路參數(shù)、頻譜分析、ESD參數(shù)、電子探針、機(jī)械探針、絕緣耐壓、繼電器特性；
●開封制樣：化學(xué)開封、機(jī)械開封、等離子刻蝕、反應(yīng)離子刻蝕、化學(xué)腐蝕、切片、IC 取芯片、芯片去層、襯底檢查、掃描電鏡檢查、DB FIB；
●缺陷定位：液晶熱點(diǎn)、紅外熱像、電壓襯度、光發(fā)射顯微像、OBIRCH、 PN 結(jié)染?、熱點(diǎn)檢測、漏電位置檢測、彈坑檢測。
檢測標(biāo)準(zhǔn)
————————————————————————————————————————————————————
●GJB33A-1997半導(dǎo)體分立器件總規(guī)范
●GJB65B-1999有可靠性指標(biāo)的電磁繼電器總規(guī)范
●GJB450A裝備可靠性工作通用要求
●GJB536B-2011電子元器件質(zhì)量保證大綱
●GJB548B-2005微電子器件試驗(yàn)方法和程序
●GJB597A-1996半導(dǎo)體集成電路總規(guī)范
●GJB841故障報告、分析和糾正系統(tǒng)
●QJ3065.5-98元器件失效分析管理要求
失效分析流程
————————————————————————————————————————————————————
（1）失效背景調(diào)查：產(chǎn)品失效現(xiàn)象？失效環(huán)境？失效階段（設(shè)計(jì)調(diào)試、中試、早期失效、中期失效等等）？失效比例？失效歷史數(shù)據(jù)？
（2）非破壞分析：X射線透視檢查、超聲掃描檢查、電性能測試、形貌檢查、局部成分分析等。
（3）破壞性分析：開封檢查、剖面分析、探針測試、聚焦離子束分析、熱性能測試、體成分測試、機(jī)械性能測試等。
（4）使用條件分析：結(jié)構(gòu)分析、力學(xué)分析、熱學(xué)分析、環(huán)境條件、約束條件等綜合分析。
（5）模擬驗(yàn)證實(shí)驗(yàn)：根據(jù)分析所得失效機(jī)理設(shè)計(jì)模擬實(shí)驗(yàn)，對失效機(jī)理進(jìn)行驗(yàn)證。
注：失效發(fā)生時的現(xiàn)場和樣品務(wù)必進(jìn)行細(xì)致保護(hù)，避免力、熱、電等方面因素的二次傷害。
測試須知——————————————————————————————————————————————————————————— 1、產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)及工藝特點(diǎn)【外引線排列圖、內(nèi)部線路原理圖】
2、樣品的主要參數(shù)指標(biāo)【產(chǎn)品輸入、輸出關(guān)鍵參數(shù)】
3、NG 樣品至少2pcs (未取下的PCBA 狀態(tài))，OK樣品1pcs,并需附帶測試時需要的連接器或配套組件(復(fù)現(xiàn)及電測需要);
4、失效信息收集：【失效現(xiàn)象、失效環(huán)境、異常電條件、失效階段（設(shè)計(jì)調(diào)試、中試、早期失效、中期失效等等）、失效比例、失效歷史數(shù)據(jù)、操作因素等】
元器件失效分析流程———————————————————————————————————————————————————————————
元器件失效分析常用檢測項(xiàng)目——————————————————————————————————————————————————————————
1、外觀檢測
2、壓降檢測
3、X-RAY檢測
4、超聲波掃描
5、芯片開封
6、掃描電子顯微鏡檢測
7、電性能測試
8、FTIR紅外光譜分析
9、熱點(diǎn)定位和FIB制樣技術(shù)
分析過的電子元器件種類
———————————————————————————————————————————————————————————
1、電阻器、電容器、電感器、連接器、繼電器、變壓等原件，
2、二極管、三極管、MOS、可控硅、橋堆、IGBT等半導(dǎo)體分立器件，
3、各種規(guī)模、各種封裝形式的集成電路，
4、射頻、微波器件，電源模塊、光電模塊等各種元器件和模塊
5、集成電路、場效應(yīng)管、二極管、發(fā)光二極管、三極管、晶閘管、電阻、電容、電感、繼電器、連接器、光耦、晶振等各種有源/無源器件
